氮化镓电致发光的高效注入机理

作者制成一种GaN电致发光器件,外量子效率接近1％(黄)和0.3％(绿)。器件的发光区由两个掺锌层组成,n型层和半绝缘层(1000),再加二个金属的接触电极。产生电致发光所加的电压典型值为5—10伏,但也曾低到2.5—4伏(金属为正)。作者提出一个模型解释这种结构的注入机理;涉及杂质带的电导和从n侧向i侧的电子注入。观察到的I(V)特性符合夫仑克耳规律。