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| 高频测量硅单晶中少数载流子寿命的方法 | |
| 引用本文： | 张秀澹.高频测量硅单晶中少数载流子寿命的方法[J].电子技术,1965(10). |
| 作者姓名： | 张秀澹 |
| 摘 要： | 少数载流子寿命、电阻率以及腐蚀斑点是衡量半导体材料品质的主要因素.对于硅来说,由于表面复合速度高,电阻率变化范围大,因此寿命的各种测量方法都很难达到一致.目前测量硅单晶中少数载流子寿命的方法有光电导衰减法、双脉冲法、光电流相移法、扩散长度法、光磁效应法……等等.其中以光电导衰减法的准确度最高,所以已成为标准的、采用最广泛的一种方法.在通常的直流光电导衰减法中,将电极连结到矩形或杆状等形状规则的样品两端,使一稳定的 |
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