摘 要: | TN248.4 2006064958高效率1.06μm波段大功率半导体激光列阵模块=High efficiency 1.06μm wavelength high power diode array module[刊,中]/尧舜(中科院长春光机所激发态开放实验室.吉林.长春(130033)),套格套…//半导体光电.—2006,27(3).—260—262采用InGaAs/InGaAsP应变量子阱折射率分别限制(SCH)宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法.制作出高效率大功率1.06μm波段半导体激光列阵模块。激光芯片宽1cm。腔长1200μm.条宽200μm。填充密度为50%,室温连续输出功率为50.2W时,光电转换效率达到56.9%。图3参10(严寒)
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