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| DRAM技术的发展动态 | |
| 引用本文： | 窦振中.DRAM技术的发展动态[J].电子产品世界,1999(9):47-48. |
| 作者姓名： | 窦振中 |
| 作者单位： | 扬州大学物理系 |
| 摘 要： | 概述动态读写存储器DRAM（DmnamicRandomAccessMemory）是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位，由于电容电荷会泄漏，为了保持信息不丢失，DRAM需要不断周期性地对其刷新。这种结构的存储单元所需要的MOS管较少，因此DRAM的集成度高、功耗小，同时每位的价格最低。DRAM一般用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个一是高集成度、大容量、低成本；二是高速度、专用化。1996年市场上以4位和16位DRAM芯片为主，1997年以16M位为主，1998年64M位开始大量上市，同年市场占有率达到52％，16MDRAM的市场占有率为45％。今… |
| 关 键 词： | DRAM 动态读写存储器 结构 |
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