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| 太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测 | |
| 引用本文： | 蒋四南,范缇文,李成基,林兰英.太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测[J].半导体学报,1989,10(1):76-81. |
| 作者姓名： | 蒋四南 范缇文 李成基 林兰英 |
| 摘 要： | 本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中心部位,存在一个大约5μm宽的高完整区.远离中心部位,空间材料的完整性降低,出现了大量位错并伴有微缺陷.实验结果表明:在微重力条件下生长化合物半导体GaAs对在其中的杂质均匀分布有利.在太生长时出现的大量位错和微缺陷,并不是在生长时由于失重所致,而是在太空生长时温度失控所引起的. |
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