| PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究 |
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| 引用本文： | 王东生,江国顺. PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究[J]. 光谱实验室, 2007, 24(5): 768-772 |
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| 作者姓名： | 王东生 江国顺 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学与工程系先进功能材料与器件重点实验室,合肥市金寨路96号,230026;中国科学技术大学材料科学与工程系先进功能材料与器件重点实验室,合肥市金寨路96号,230026 |
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| 摘 要： | 用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.
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| 关 键 词： | n-ZnxCo1-xO/p-Si 激光脉冲沉积(PLD) 电流-电压曲线 |
| 文章编号： | 1004-8138（2007）05-0768-05 |
| 修稿时间： | 2007-06-11 |
Electrical Characteristic of n-Zn1-xCoxO/p-Si Films Grown by PLD |
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| WANG Dong-Sheng,JIANG Guo-Shun. Electrical Characteristic of n-Zn1-xCoxO/p-Si Films Grown by PLD[J]. Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory, 2007, 24(5): 768-772 |
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| Authors: | WANG Dong-Sheng JIANG Guo-Shun |
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| Affiliation: | Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices, Department of Materials Science and Engincering University of Science and Techmology of China, Hefei, Anhui 230026 ,P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | n-Zn_(1-x)Co_xO/p-Si PLD I-V Characteristics. |
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