| Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应 |
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| 引用本文： | 于振瑞,杜金会,张加友,李长安,Aceves M.Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应[J].半导体学报,2003,24(11):1180-1184. |
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| 作者姓名： | 于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M |
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| 作者单位： | 南开大学光电子研究所，军事交通学院基础部，南开大学光电子研究所，军事交通学院基础部，Department of Electronics 天津300071，军事交通学院基础部，天津300161，天津300161，天津300071，军事交通学院基础部，天津300161，天津300161，INAOE，Puebla，Mexico |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号 :5 0 172 0 61)，墨西哥Conacyt资助项目~~ |
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| 摘 要： | 利用Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用L PCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C- V测量研究其电荷俘获性质.发现对于n型Si衬底,在横向电压作用下,SRO层能够俘获正电荷,电荷俘获效应与SRO层的性质有关.基于电位在器件内部的分布及诱导pn结的形成,提出了一个简单的物理模型来解释所得到的实验结果
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| 关 键 词： | 富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)11-1180-05 |
| 修稿时间： | 2003年4月25日 |
Carge-Trapping Effect of Al/SRO/Si Devices Under Lateral Electrical Stress |
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| Yu Zhenrui ,Du Jinhui ,Zhang Jiayou ,Li Chang'an and Aceves M.Carge-Trapping Effect of Al/SRO/Si Devices Under Lateral Electrical Stress[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(11):1180-1184. |
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| Authors: | Yu Zhenrui Du Jinhui Zhang Jiayou Li Chang'an and Aceves M |
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| Institution: | Yu Zhenrui 1,2,Du Jinhui 2,Zhang Jiayou 1,2,Li Chang'an 2 and Aceves M 3 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon rich oxide (SRO) charge trapping effect C V measurements induced pn junction |
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