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| Ga2n(n=1~4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究 | |
| 作者姓名： | 王连轩 王新强 樊玉勤 刘高斌 |
| 作者单位： | 重庆大学物理系,重庆,400044 |
| 基金项目： | 重庆市自然科学基金资助项目(No. CSTC-2007BB4137) |
| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下对Ga_(2n)(n=1～4)团簇进行了几何结构优化和结合能计算,并对其电子结构及成键特性进行了分析.结果表明,Ga_2,Ga_4团簇的基态都是自旋极化态,Ga_6团簇的能量局域极小的八面体结构也具有自旋极化;这些团簇的最外层分子轨道的空间分布是对称的,最外层分子轨道之间的能量相差很小,最外层分子轨道的近简并引起了自旋极化;对称性较高的团簇容易形成近简并的最外层分子轨道. |
| 关 键 词： | Gan团簇 密度泛函理论 自旋极化 |
| 收稿时间： | 2009-04-17 |
| 修稿时间： | 2009-04-22 |
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