| NO(X2∏1/2,3/2)v=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究 |
| |
| 引用本文： | 郭远清,黄光明.NO(X2∏1/2,3/2)v=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究[J].波谱学杂志,1999,16(6):477-484. |
| |
| 作者姓名： | 郭远清 黄光明 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院武汉物理与数学研究所 波谱与原子分子物理国家重点实验室, 武汉 430071;2. 华中师范大学物理系, 武汉 43079 |
| |
| 基金项目： | "九五"攀登计划、中国科学院"百人计划"、国家自然科学基金资助项目(19874072) |
| |
| 摘 要： | 根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术(LMR)的基本原理,讨论了双原子分子2∏态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程,用这些方程对14N16O(X2∏1/2.3/2)及15N16O(X2∏3/2)(v=1←0)的LMR谱线进行数据拟合,得到塞曼跃迁上、下子能级的gJ因子值和二级塞曼效应因子k2.将按Hund耦合情形(a)及过渡情形(ab)的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较,结果表明对NO分子而言,过渡情形(ab)能较真实反映它的耦合情况,且在较高强度磁场下,必须计及二级塞曼修正验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性,并提供了系统的处理方法.
|
| 关 键 词： | NO 激光磁共振 塞曼效应 光谱特性 |
| 收稿时间： | 1999-08-23 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《波谱学杂志》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《波谱学杂志》下载免费的PDF全文 |
|
