| 利用P-MBE制备高质量MgxZn1-xO的结构和光学特性 |
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| 引用本文： | 宿世臣,吕有明,张振中,李炳辉,姚斌,申德振,范希武.利用P-MBE制备高质量MgxZn1-xO的结构和光学特性[J].发光学报,2008,29(2):309-312. |
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| 作者姓名： | 宿世臣 吕有明 张振中 李炳辉 姚斌 申德振 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随着Mg组份的增加,MgxZn1-xO的X射线衍射的(002)衍射峰逐渐向大角度方向移动。对样品进行光致发光(PL)谱的测量,在室温下观察到了较强的紫外发光。随Mg浓度的增加,紫外发光峰向高能侧移动,并且发光峰逐渐展宽。通过对x=0.15的样品进行变温光谱的测量研究了紫外发光峰起因,得到了MgxZn1-xO的发光是来自于自由激子的发光。自由激子束缚能为54meV。
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| 关 键 词： | 氧化锌镁 等离子体辅助分子束外延 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032(2008)02-0309-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月17日 |
Structural and Optical Properties of High Quality MgxZn1-xO Films Grown by P-MBE |
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| SU Shi-chen,LU You-ming,ZHANG Zhen-zhong,LI Bing-hui,YAO Bin,SHEN De-zhen,FAN Xi-wu.Structural and Optical Properties of High Quality MgxZn1-xO Films Grown by P-MBE[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(2):309-312. |
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| Authors: | SU Shi-chen LU You-ming ZHANG Zhen-zhong LI Bing-hui YAO Bin SHEN De-zhen FAN Xi-wu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgxZn1-xO P-MBE photoluminescence |
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