| 高散热变k介质埋层SOI高压功率器件 |
| |
| 引用本文： | 罗小蓉,李肇基,张波. 高散热变k介质埋层SOI高压功率器件[J]. 半导体学报, 2006, 27(10): 1832-1837 |
| |
| 作者姓名： | 罗小蓉 李肇基 张波 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心，成都 610054;电子科技大学IC设计中心，成都 610054;电子科技大学IC设计中心，成都 610054 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | 针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variable k dielectric buried layer SOI,VkD SOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7.5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.
|
| 关 键 词： | SOI 低k介质埋层 纵向电场 击穿电压 自热效应 热变 介质 埋层 功率器件 Buried Layer Dielectric Variable Power Device 温度降 厚度 器件耐压 漂移区 结果 耐高压 氮化硅 高热导率 近采 源端 高电流密度 高电场 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)10-1832-06 |
| 收稿时间： | 2006-03-03 |
| 修稿时间： | 2006-04-26 |
A Highly Heat-Dissipating SOI High Voltage Power Device with a Variable k Dielectric Buried Layer |
| |
| Luo Xiaorong,Li Zhaoji and Zhang Bo. A Highly Heat-Dissipating SOI High Voltage Power Device with a Variable k Dielectric Buried Layer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(10): 1832-1837 |
| |
| Authors: | Luo Xiaorong Li Zhaoji Zhang Bo |
| |
| Affiliation: | IC Design Center,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SOI low k dielectric layer vertical electric field breakdown voltage self-heating effect |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
