| TiC、TiC1-x、(Ti1-xNbx)C电子结构的计算 |
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| 引用本文： | 崔万秋,雷鸣.TiC、TiC1-x、(Ti1-xNbx)C电子结构的计算[J].物理化学学报,1998,14(3):198-203. |
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| 作者姓名： | 崔万秋 雷鸣 |
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| 作者单位： | Department of Material Science,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070 |
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| 摘 要： | 采用离散变分x_α法（DV-X_α法）对TiC理想晶体、空位和掺杂缺陷结构中的电子结构进行了计算．通过选取分子簇模型,模拟了理想晶体、空位和掺杂缺陷情况．采用多重散射离散变分X_α法,通过自治迭代来求解局域密度泛函方程,得到了各个分子簇模型的电子结构．分析计算结果发现,在理想TiC结构的态密度图中,费米能级位于两峰之间．但在费米能级处的电子态密度不为零,这提供了TiC导电性的来源．在空位模型中,发现电子态密度在费米能级处有较大的值,说明空位的存在有利于提高TiC的导电能力．对于Nb掺杂后的电子结构,在费米能级处存在一个电子态密度峰,因而也有利于提高其导电性．在计算的过程中考虑到了分子簇模型边界条件带来的电行转移效应对电子结构的影响,通过提供适当的环境势,得到了较精确的计算结果．与已有的计算结果进行了对比,有较好的一致性．
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| 关 键 词： | DV-Xa法 TiC分子簇 电子结构 |
| 收稿时间： | 1997-06-13 |
| 修稿时间： | 1997-09-10 |
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