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| 混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究 | |
| 作者姓名： | 俞容文 黄旭光 郑健生 颜炳章 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系，中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金,中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室资助 |
| 摘 要： | 采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．对ＮＸ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明ＮＸ带同时存在着快速的带内隧穿转移和较慢的发光衰退过程 |
| 关 键 词： | II－V族半导体，发光，杂质和缺陷，能量转移 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |