| Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究 |
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| 引用本文： | 王善忠,何力.Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究[J].量子电子学报,1998,15(1):1-9. |
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| 作者姓名： | 王善忠 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室!上海，200083，中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室，中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室!上海，200083 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金，上海市应用物理中心资助 |
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| 摘 要： | 本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器，电学限制层对发光活性层中载流子的约束能力（即能带的offset值）是最重要的基本参数之一。由于对Be基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（LCAO）理论计算了所有Ⅱ-Ⅵ族化合物价带顶的相对位置，结合带隙的实验值，给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带底的相对位置。简要分析了二元化合物用于BeTe中载流于约束的可能性。根据虚晶近似，用插值方法计算了与GaAs匹配的Be基四元合金相对与BeTe价带、导带的offset。对各四元合金的特征进行了分析对比，讨论了Be基四元合金用作我流子约束层的可能性。为制作Be基半导体蓝绿激光器提供了能带剪裁的理论依据。
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| 关 键 词： | Be基区Ⅱ-Ⅵ族化合物 蓝绿激光器 载流子约束 LCAO理论 |
Carrier Confinement in Be-based Blue/Green Laser Diodes |
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| Wang Sbanzhong, He Li and Sben Xuechu.Carrier Confinement in Be-based Blue/Green Laser Diodes[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,1998,15(1):1-9. |
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| Authors: | Wang Sbanzhong He Li and Sben Xuechu |
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