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| 基于高K值衬底材料的黑磷背栅晶体管 | |
| 作者单位： | ;1.合肥工业大学;2.中国科技大学;3.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 为了提高黑磷晶体管的迁移率,并适合规模化制备,采用高K值HfO_2与Al_2O_3材料,晶体管沟道使用15nm厚度的黑磷薄膜,制备了黑磷背栅晶体管。测试其直流特性,栅极电压范围-10~10V,漏极电压范围-3~0V。常温下晶体管空穴迁移率达到210cm~2/(V·s),电子迁移率为37cm~2/(V·s),开关比4.5×10~2。并根据黑磷的带隙特性以及双极性特点,对其漏极电流与栅压、漏压曲线进行理论分析。结果表明,高K值材料对黑磷晶体管性能有明显提升,将进一步促进黑磷晶体管的实用化。 |
| 关 键 词： | 二维材料 黑磷 晶体管 迁移率 高K值 |
Black Phosphorus Back Gate FET Based on H-K Material |
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