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| 一种基于表面势的非晶态InGaZnO薄膜晶体管核心紧凑模型 | |
| 作者单位： | ;1.周口科技职业学院;2.桂林电子科技大学 |
| 摘 要： | 考虑非晶态铟镓氧化锌薄膜晶体管(Amorphous InGaZnO thin film transistors,a-InGaZnO TFTs)指数分布的带尾态和深能态,基于表面势的显式解,建立了a-InGaZnO TFTs的核心紧凑模型。解析地求解泊松方程,得到表面势的显式解,与数值迭代算法的计算结果进行比较,其绝对误差小于10-5 V,且提高了计算效率;利用高斯定理与薄层电荷模型,推导漏源电流的解析解;最后对漏电流实验数据进行拟合,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确预测a-InGaZnO TFTs的漏电流特性。提出的紧凑模型适用于电路仿真应用。 |
| 关 键 词： | 紧凑模型 表面势 非晶铟镓氧化锌 薄膜晶体管 |
A Surface-potential-based Core Compact Model of Amorphous InGaZnO Thin-film Transistors |
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