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氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究
引用本文:张幸福,魏爱香,侯通贤. 氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 684-688
作者姓名:张幸福  魏爱香  侯通贤
作者单位:广东工业大学材料与能源学院,广州,510006
基金项目:广东工业大学校科研和教改项目
摘    要:采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构.成份和介电性能的影响.XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响.900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位.

关 键 词:氧化钽薄膜  磁控反应溅射  介电性能,

Structure, Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film
ZHANG Xing-fu,WEI Ai-xiang,HOU Tong-xian. Structure, Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 684-688
Authors:ZHANG Xing-fu  WEI Ai-xiang  HOU Tong-xian
Abstract:
Keywords:
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