0.18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像套刻精度分析 |
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作者姓名: | BerndSchulz HarryJ.Levinson RolfSeltmann JoelSeligson PavelIzikson AnatRonen |
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作者单位: | 1. AMD Saxony制造股份有限公司,德累斯顿市 D-01109,德国 2. AMD工艺研发集团,美国加利福尼亚州森尼韦尔市 3. KLA-Tencor,Migdal HaEmek 23100,以色列 |
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摘 要: | 由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(AfterDevelopDI)阶段和后蚀刻(AfterEtchFI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Overlay准确度。在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻(FI)阶段测试的条件下,我们对成品晶圆的5个工艺层进行了比较。此外,还利用CD-SEM(线宽-扫描电子显微镜)测量了某个工艺层(PolyGate)上的芯片内Overlay,并与采用分割线方法的光学Overlay测量结果进行了比较。发现对芯片内overlay的校准存在着严重的局限性,即在应用CD-SEM时缺乏合适的结构进行Overlay测量。我们还将继续为大家提供定量的比较结果,同时也会向大家推荐组合的CD-SEM测量结构,使其能够被应用到今后的光刻设计中。
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关 键 词: | 空间成像套刻 准确度 校准 |
文章编号: | 1004-4507(2005)02-0015-07 |
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