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| 用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱 | |
| 引用本文： | 王少阶,陈志权,王柱.用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱[J].武汉大学学报(理学版),2000(1). |
| 作者姓名： | 王少阶 陈志权 王柱 |
| 作者单位： | 武汉大学物理学系!武汉 430072，武汉大学物理学系!武汉 430072，武汉大学物理学系!武汉 430072 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!（69576020） |
| 摘 要： | 简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展，包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等．研究表明，在原生半导体材料中存在各种缺陷，经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成；在重掺杂材料中，空位还补偿载流子，使载流子发生饱和． |
| 关 键 词： | 正电子湮没 半导体 缺陷 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |