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| 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格 | |
| 引用本文： | 闫隆,张永平,彭毅萍,庞世谨,高鸿钧. 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格[J]. 物理学报, 2002, 51(5) |
| 作者姓名： | 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080 |
| 摘 要： | 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论. |
| 关 键 词： | 扫描隧道显微镜(STM) Si(111)-(7×7)表面 二维Ge团簇超晶格 |
Self-organized growth of sub-monolayer Ge on Si(111)-(7×7) |
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