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La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究
引用本文:段 苹,陈正豪,戴守愚,周岳亮,吕惠宾. La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究[J]. 物理学报, 2006, 55(3): 1441-1446
作者姓名:段 苹  陈正豪  戴守愚  周岳亮  吕惠宾
作者单位:(1)天津大学应用物理系,天津 300072;中国科学院物理研究所,北京 100080; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080
摘    要:一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0 .2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示 薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CM R)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体 系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.关键词:脉冲激光沉积1-xPrxMnO3')" href="#">La1-xPrxMnO3电子 掺杂庞磁电阻

关 键 词:脉冲激光沉积  La1-xPrxMnO3  电子 掺杂  庞磁电阻
收稿时间:2005-05-20
修稿时间:2005-08-08

Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrx MnO3 thin films
Duan Ping,Chen Zheng-Hao,Dai Shou-Yu,Zhou Yue-Liang,Lü Hui-Bin. Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrx MnO3 thin films[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(3): 1441-1446
Authors:Duan Ping  Chen Zheng-Hao  Dai Shou-Yu  Zhou Yue-Liang  Lü Hui-Bin
Affiliation:1.Department of Applied Physics, Tianjin University, Tianjin 300072, China ; 2.Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China
Abstract:The oxide La1-xPrxMnO3 (x=0.1, 0.2) thin film s howing colossal magnetoresistance has been epitaxially grown on (100) SrTiO 3 single-crystal substrate by pulsed-laser deposition. The films have a pe rovskite structure and perform the colossal magnetoresistance effect with the ma ximum magnetoresistance ratio of 95% under the magnetic field of 5 T. The valenc e of Pr is confirmed as +4 through XPS. Therefore the epitaxial film is most lik ely an electron-doped colossal magnetoresistance fihn.
Keywords:pulsed laser deposition (PLD)   La1-xPrxMnO 3   electron-doped   colossal magnetoresistance
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