| La1－xPrxMnO3(x=0.1，0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究 |
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| 引用本文： | 段 苹,陈正豪,戴守愚,周岳亮,吕惠宾.La1－xPrxMnO3(x=0.1，0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究[J].物理学报,2006,55(3):1441-1446. |
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| 作者姓名： | 段 苹 陈正豪 戴守愚 周岳亮 吕惠宾 |
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| 作者单位： | (1)天津大学应用物理系，天津 300072;中国科学院物理研究所，北京 100080; (2)中国科学院物理研究所，北京 100080 |
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| 摘 要： | 一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1，0 .2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示 薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CM R)效应，其中磁电阻比率达95％(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体 系中Pr离子的价态为+4价，因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.
关键词：
脉冲激光沉积
1-xPrxMnO3')" href="#">La1-xPrxMnO3
电子 掺杂
庞磁电阻
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 La1-xPrxMnO3 电子 掺杂 庞磁电阻 |
| 收稿时间： | 05 20 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 8/8/2005 12:00:00 AM |
Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrx MnO3 thin films |
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| Duan Ping,Chen Zheng-Hao,Dai Shou-Yu,Zhou Yue-Liang,Lü Hui-Bin.Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrx MnO3 thin films[J].Acta Physica Sinica,2006,55(3):1441-1446. |
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| Authors: | Duan Ping Chen Zheng-Hao Dai Shou-Yu Zhou Yue-Liang Lü Hui-Bin |
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| Institution: | 1.Department of Applied Physics, Tianjin University, Tianjin 300072, China ; 2.Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China |
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| Abstract: | The oxide La1-xPrxMnO3 (x=0.1, 0.2) thin film s howing colossal magnetoresistance has been epitaxially grown on (100) SrTiO 3 single-crystal substrate by pulsed-laser deposition. The films have a pe rovskite structure and perform the colossal magnetoresistance effect with the ma ximum magnetoresistance ratio of 95% under the magnetic field of 5 T. The valenc e of Pr is confirmed as +4 through XPS. Therefore the epitaxial film is most lik ely an electron-doped colossal magnetoresistance fihn. |
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| Keywords: | pulsed laser deposition (PLD) La1-xPrxMnO 3 electron-doped colossal magnetoresistance |
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