| 基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究 |
| |
| 引用本文： | 张祖发,张胤,冯洁,蔡燕飞,林殷茵,蔡炳初,汤庭鳌,Bomy Chen.基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究[J].物理学报,2007,56(7). |
| |
| 作者姓名： | 张祖发 张胤 冯洁 蔡燕飞 林殷茵 蔡炳初 汤庭鳌 Bomy Chen |
| |
| 摘 要： | 采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×1Oμm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500 ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4 V、脉宽20 ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.
|
| 关 键 词： | 相变存储器 硫系化合物 Si掺杂Sb2Te3薄膜 SET/RESET转变 |
Study of Si-doped Sb2Te3 films for phase change memory |
| |
| Zhang Zu-Fa,Zhang Yin,Feng Jie,Cai Yan-Fei,Lin Yin-Yin,Cai Bing-Chu,Tang Ting-Ao,Bomy Chen.Study of Si-doped Sb2Te3 films for phase change memory[J].Acta Physica Sinica,2007,56(7). |
| |
| Authors: | Zhang Zu-Fa Zhang Yin Feng Jie Cai Yan-Fei Lin Yin-Yin Cai Bing-Chu Tang Ting-Ao Bomy Chen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
