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水热合成Zn_(0.9)Ni_(0.1)O稀磁半导体粉体
引用本文:李慧勤,苗鸿雁,谈国强,安百江,夏傲.水热合成Zn_(0.9)Ni_(0.1)O稀磁半导体粉体[J].人工晶体学报,2009(Z1).
作者姓名:李慧勤  苗鸿雁  谈国强  安百江  夏傲
作者单位:陕西科技大学材料科学与工程学院;宝鸡文理学院化学化工系;陕西宝光真空电器股份有限公司;
基金项目:国家自然科学基金(No.5067205550872077);;国家科技支撑计划资助项目(2006BAF02A28);;陕西科技大学研究生创新基金
摘    要:采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表征以KOH作为矿化剂能够制备出发育良好的Zn0.9Ni0.1O稀磁半导体晶体,没有其它杂质相的产生。通过UV/Vis测试进一步说明掺杂的效果,掺杂使ZnO的禁带宽度降低至3.18 eV。FE-SEM测试显示所制备的晶体呈现长柱状。VSM测试表明,所制备的样品Zn0.9Ni0.1O在室温下表现出铁磁性。文章采用水热法制备出了具有铁磁性能的稀磁半导体粉体。

关 键 词:稀磁半导体  Zn1-xNixO  水热法  铁磁性  

Preparation of Zn_(0.9)Ni_(0.1)O Diluted Magnetic Semiconductor by Hydrothermal Method
LI Hui-qin,MIAO Hong-yan,TAN Guo-qiang,AN Bai-jiang,XIA Ao.Preparation of Zn_(0.9)Ni_(0.1)O Diluted Magnetic Semiconductor by Hydrothermal Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2009(Z1).
Authors:LI Hui-qin    MIAO Hong-yan  TAN Guo-qiang  AN Bai-jiang  XIA Ao
Institution:1.School of Materials Science and Engineering;Shaanxi University of Science and Technology;Xi'an 710021;China;2.Department of Chemistry and Chemical Engineering;Baoji University of Arts and Sciences;Baoji 721013;3.Shaanxi Baoguang Vacuum Electric Device Co.;Ltd;BaoJi 721304;China
Abstract:
Keywords:Zn1-xNixO  diluted magnetic semiconductor  hydrothermal method  ferromagnetic  
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