| 二维拓扑绝缘体退相干效应研究 |
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| 引用本文： | 江 华, 谢心澄, 成淑光, 孙庆丰. 二维拓扑绝缘体退相干效应研究[J]. 物理, 2011, 40(07): 454-457. |
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| 作者姓名： | 江华 谢心澄 成淑光 孙庆丰 |
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| 作者单位： | (1)北京大学国际量子材料科学中心 北京 100871;(2)北京大学国际量子材料科学中心 北京 100871;美国奥克拉荷马州立大学物理系 奥克拉荷马州 74078;(3)西北大学物理系 西安 710069;(4)中国科学院物理研究所 北京 100190 |
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| 摘 要： | 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理研究的热点.退相干效应对该体系的影响的研究不仅有重要的理论意义,而且也是实现未来量子器件的不可或缺的前期工作.文章作者从理论上研究了退相干对二维拓扑绝缘体特别是量子自旋霍尔效应的影响.研究结果表明,作为量子自旋霍尔效应的标志的量子化纵向电阻平台对不破坏自旋记忆的退相干效应（普通退相干）不敏感,但却对破坏自旋记忆的退相干效应（自旋退相干）非常敏感.因此,该量子化平台只能在尺寸小于自旋退相干长度的介观样品中存在,从而解释了量子自旋霍尔效应实验中所观测到的结果(见Science ,20
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| 关 键 词： | 拓扑绝缘体 电子驻波 朗道量子化 |
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