| PMOS剂量计的退火特性 |
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| 引用本文： | 范隆,任迪远,张国强,严荣良,艾尔肯. PMOS剂量计的退火特性[J]. 半导体学报, 2000, 21(4): 383-387 |
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| 作者姓名： | 范隆 任迪远 张国强 严荣良 艾尔肯 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所!乌鲁木齐830011 |
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| 基金项目： | 中国科学院院长基金;; |
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| 摘 要： | 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ;用模型讨论了实验结果
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| 关 键 词： | 剂量计 PMOS 退火特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)04-0383-05 |
| 修稿时间： | 1999-10-28 |
Annealing Characteristics of PMOS Dosimeters |
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| FAN Long,REN Di|yuan,ZHANG Guo|qiang,YAN Rong|liang and Erkin. Annealing Characteristics of PMOS Dosimeters[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 383-387 |
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| Authors: | FAN Long REN Di|yuan ZHANG Guo|qiang YAN Rong|liang Erkin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dosimeter PMOS annealing |
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