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| 多孔硅新的表面处理技术 | |
| 引用本文： | 虞献文,陈燕艳,应桃开,程存归,郁可,朱自强.多孔硅新的表面处理技术[J].半导体学报,2005,26(2). |
| 作者姓名： | 虞献文 陈燕艳 应桃开 程存归 郁可 朱自强 |
| 作者单位： | 1. 浙江师范大学数理学院,金华,321004 2. 浙江师范大学信息科学与工程学院,金华,321004 3. 浙江师范大学化学与生命科学学院,金华,321004 4. 山东大学物理学院,济南,250100 5. 华东师范大学信息与技术学院,上海,200062 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市科技发展基金 |
| 摘 要： | 对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题.阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面,满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定,避免结构重组产生分子间的不均匀内应力,从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅. |
| 关 键 词： | 阴极还原 阳极氧化 表面处理技术 厚膜 |
New Surface Treatment Technique of Porous Silicon |
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| Yu Xianwen,Chen Yanyan,Ying Taokai,Cheng Cungui,Yu Ke,Zhu Ziqiang.New Surface Treatment Technique of Porous Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2). | |
| Authors: | Yu Xianwen Chen Yanyan Ying Taokai Cheng Cungui Yu Ke Zhu Ziqiang |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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