| 用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉 |
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| 引用本文： | 熊兵,王健,蔡鹏飞,田建柏,孙长征,罗毅. 用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉[J]. 半导体学报, 2005, 26(10) |
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| 作者姓名： | 熊兵 王健 蔡鹏飞 田建柏 孙长征 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.
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| 关 键 词： | 宽带硅基过渡热沉 高速电吸收调制器 高阻率硅衬底 低损耗共面波导 薄膜电阻 |
A Novel Low-Cost Wideband Si-Based Submount for 40Gb/s Optoelectronic Devices |
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| Xiong Bing,Wang Jian,Cai Pengfei,Tian Jianbo,Sun Changzheng,Luo Yi. A Novel Low-Cost Wideband Si-Based Submount for 40Gb/s Optoelectronic Devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(10) |
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| Authors: | Xiong Bing Wang Jian Cai Pengfei Tian Jianbo Sun Changzheng Luo Yi |
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