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选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖
引用本文:张红治,胡礼中,孙晓娟,王志俊,梁秀萍.选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖[J].半导体学报,2005,26(6).
作者姓名:张红治  胡礼中  孙晓娟  王志俊  梁秀萍
作者单位:大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
基金项目:国家自然科学基金,辽宁省科技计划
摘    要:使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值.

关 键 词:选择液相外延  微探尖  扫描近场光学显微术

GaAs Microtips Grown by Selective LPE for SNOM Sensors
Zhang Hongzhi,Hu Lizhong,Sun Xiaojuan,Wang Zhijun,Liang Xiuping.GaAs Microtips Grown by Selective LPE for SNOM Sensors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6).
Authors:Zhang Hongzhi  Hu Lizhong  Sun Xiaojuan  Wang Zhijun  Liang Xiuping
Abstract:
Keywords:
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