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| 双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 | |
| 引用本文： | 李果华,孙艳宁,严辉,Aristo Yulius,Jerry M Woodall. 双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管[J]. 半导体学报, 2005, 26(2) |
| 作者姓名： | 李果华 孙艳宁 严辉 Aristo Yulius Jerry M Woodall |
| 作者单位： | 1. 江南大学理学院光信息科学与技术系,无锡,214122;北京工业大学量子材料实验室,北京,100022 2. 耶鲁大学电子工程系,New,Haven,CT,06520,USA 3. 北京工业大学量子材料实验室,北京,100022 4. 耶鲁大学电子工程系,New Haven CT 06520,USA |
| 摘 要： | 设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有高于80%的内量子效率.这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据. |
| 关 键 词： | InP 漂移机制 光二极管 太阳电池 |
Investigation of Double Graded Doping Drift Dominated InP/GaP Photodiodes |
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| LI Guohua,Sun Yanning,Yan Hui,Aristo Yulius,Jerry M Woodall. Investigation of Double Graded Doping Drift Dominated InP/GaP Photodiodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(2) | |
| Authors: | LI Guohua Sun Yanning Yan Hui Aristo Yulius Jerry M Woodall |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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