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厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量
引用本文:刘世杰,杜惊雷,段茜,罗铂靓,唐雄贵,郭永康,杜春雷. 厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量[J]. 半导体学报, 2005, 26(5)
作者姓名:刘世杰  杜惊雷  段茜  罗铂靓  唐雄贵  郭永康  杜春雷
作者单位:1. 四川大学物理学院,成都,610064;陕西理工学院物理系,汉中,723001
2. 四川大学物理学院,成都,610064
3. 微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209
基金项目:国家自然科学基金,国家重点实验室基金
摘    要:针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.

关 键 词:厚层抗蚀剂  光刻  曝光  增强Dill模型  曝光参数

Enhanced Exposure Model and Its Parameter Measurements for Thick Photoresist
Liu Shijie,Du Jinglei,DUAN Xi,Luo Boliang,Tang Xionggui,Guo Yongkang,Du Chunlei. Enhanced Exposure Model and Its Parameter Measurements for Thick Photoresist[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(5)
Authors:Liu Shijie  Du Jinglei  DUAN Xi  Luo Boliang  Tang Xionggui  Guo Yongkang  Du Chunlei
Abstract:
Keywords:
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