| 恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性 |
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| 引用本文： | 王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性[J].半导体学报,2005,26(5). |
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| 作者姓名： | 王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.
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| 关 键 词： | 衬底电流 软击穿 超薄栅氧化层 威布尔分布 变频光泵效应 |
Substrate Current Characteristics After Soft Breakdown in Ultra-Thin Gate Oxide nMOSFETs Under Constant Voltage Stress |
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| WANG Yangang,Xu Mingzhen,Tan Changhua,Duan Xiaorong.Substrate Current Characteristics After Soft Breakdown in Ultra-Thin Gate Oxide nMOSFETs Under Constant Voltage Stress[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5). |
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| Authors: | WANG Yangang Xu Mingzhen Tan Changhua Duan Xiaorong |
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