| 多晶硅薄膜的高温压阻效应 |
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| 引用本文： | 霍明学,刘晓为,张丹,王喜莲,宋明浩.多晶硅薄膜的高温压阻效应[J].半导体学报,2005,26(11). |
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| 作者姓名： | 霍明学 刘晓为 张丹 王喜莲 宋明浩 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001
2. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;黑龙江大学电子工程学院,哈尔滨,150080 |
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| 摘 要： | 利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0～560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究.结果表明,利用多晶硅材料制作的压敏电阻,其最高工作温度可以达到560℃以上.
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| 关 键 词： | 压阻效应 多晶硅 应变系数 |
Piezoresistive Effect of Polysilicon Films at High Temperature |
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| Huo Mingxue,Liu Xiaowei,Zhang Dan,Wang Xilian,Song Minghao.Piezoresistive Effect of Polysilicon Films at High Temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11). |
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| Authors: | Huo Mingxue Liu Xiaowei Zhang Dan Wang Xilian Song Minghao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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