| 大功率GaN基LED的提取效率 |
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| 引用本文： | 郭金霞,马龙,伊晓燕,王良臣,王国宏,李晋闽.大功率GaN基LED的提取效率[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 郭金霞 马龙 伊晓燕 王良臣 王国宏 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 影响GaN基LED效率的主要因素是内量子效率和提取效率.蓝光GaN基的LED内量子效率可达70%以上,紫外GaN基LED可达80%,进一步改善的空间较小.而传统大面积结构GaN基LED由于全反射和吸收等原因,外提取效率只有百分之几,提高空间很大.本文从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED外提取效率的因素,针对全反射、吸收、横向光波导等问题总结了现有的各种提高GaN基LED提取效率的手段及其优缺点.
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| 关 键 词： | GaN基LED 提取效率 内量子效率 全反射 |
Light Extraction Efficiency of High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes |
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| Guo Jinxia,Ma Long,Yi Xiaoyan,Wang Liangchen,Wang Guohong,Li Jinmin.Light Extraction Efficiency of High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Guo Jinxia Ma Long Yi Xiaoyan Wang Liangchen Wang Guohong Li Jinmin |
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| Keywords: | |
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