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| 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文） | |
| 引用本文： | 田伟男,熊聪,王鑫,刘素平,马骁宇.基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）[J].发光学报,2018(8). |
| 作者姓名： | 田伟男 熊聪 王鑫 刘素平 马骁宇 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
| 摘 要： | 在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950℃的情况下进行不同时长不同GaAs层厚度的高温快速热退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火时间达到120 s时,样品获得53.4 nm的最大波长蓝移;在1 min退火时间下获得18 nm的最小光谱半峰全宽。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |