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应用溶胶-凝胶技术制备的硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管传感器的电化学行为
引用本文:李先文,冯亚非. 应用溶胶-凝胶技术制备的硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管传感器的电化学行为[J]. 理化检验(化学分册), 2007, 43(10): 821-822,826
作者姓名:李先文  冯亚非
作者单位:广东海洋大学,理学院,湛江,524088;广东海洋大学,理学院,湛江,524088
摘    要:将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中,滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面,制备成传感器.并对传感器的电化学行为,包括pH值的影响和传感器的稳定性进行了研究.结果表明此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特点,又具有良好的稳定性和灵敏度.传感器对阿托品响应的线性范围为1.0×10-3~5.0×10-6 mol·L-1,响应灵敏度为59.0 mV/pc,传感器适宜的pH为3.0~8.0.用所制传感器测定阿托品注射液的含量,结果和药典方法相一致.

关 键 词:离子敏感场效应晶体管  硅钨酸  溶胶-凝胶技术  阿托品
文章编号:1001-4020(2007)10-0821-02
收稿时间:2006-07-20
修稿时间:2006-07-20

Electrochemical Behavior of Silicotungstic Acid Modified Ion-Sensitive Fieldistor (ISFET) Sensor Prepared with Sol-gel Technique
LI Xian-wen,FENG Ya-fei. Electrochemical Behavior of Silicotungstic Acid Modified Ion-Sensitive Fieldistor (ISFET) Sensor Prepared with Sol-gel Technique[J]. Physical Testing and Chemical Analysis Part B:Chemical Analgsis, 2007, 43(10): 821-822,826
Authors:LI Xian-wen  FENG Ya-fei
Abstract:
Keywords:Ion sensitive fieldistor   Silicotungstic acid  Sol-gel technique   Atropine
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