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| 纯氧化钐中稀土杂质的控制气氛发射光谱测定 | |
| 引用本文： | 成世昌.纯氧化钐中稀土杂质的控制气氛发射光谱测定[J].分析试验室,1983(3). |
| 作者姓名： | 成世昌 |
| 作者单位： | 包头冶金研究所 |
| 摘 要： | 目前沿用的鉴定氧化钐产品纯度的直接发射光谱法或化学光谱法只测定与钐邻近的五个稀土杂质。国外报道过用多种手段测定全部稀土杂质。因为矿源和工艺不同,氧化钐产品中稀土杂质含量会有很显著的差别,有必要建立纯氧化钐中所有稀土杂质的测定方法。为此,通过试验研究,拟定了控制气氛激发,一次摄谱同时测定氧化钐中14个稀土杂质的方法。可测定总量(∑R_xO_y)低达450ppm的杂质。1.分析步骤纯氧化钐试样在900℃灼烧后,与光谱纯碳粉按1∶1混合研匀,装入杯型碳电极中。置于高温电炉内烘烤半小时。在一级色散2.5埃/毫米的3.4米平面光谱 |
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