| 后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 赖珍荃,李新曦,俞进,王根水,郭少令,褚君浩.后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响[J].南昌大学学报(理科版),2003,27(1):26-28,44. |
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| 作者姓名： | 赖珍荃 李新曦 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 |
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| 作者单位： | 1. 南昌大学物理学系,江西,南昌,330047
2. 中国科学院红外物理国家实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金资助项目(00ZE14071)，江西省自然科学基金资助项目(0150016) |
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| 摘 要： | 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。
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| 关 键 词： | PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜 |
EFFECTS OF POST- ANNEALING TEMPERATURE ON THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF Pb(Zr0.52Ti0.48) O3 FERROELECTRIC THIN FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT ferroelectric thin films Post-annealing temperature RF sputtering |
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