| CCD在fs激光辐照下的损伤研究 |
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| 引用本文： | 江继军,罗福,陈建国.CCD在fs激光辐照下的损伤研究[J].强激光与粒子束,2005,17(4):515-517. |
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| 作者姓名： | 江继军 罗福 陈建国 |
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| 作者单位： | 四川大学,电子信息学院,四川,成都,610064;中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900;四川大学,电子信息学院,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家 863计划项目资助课题 |
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| 摘 要： | 用脉宽为60 fs、波长为800 nm的 fs激光辐照电荷耦合器件，研究了电荷耦合器件在fs激光作用下的失效问题。实验得到fs激光作用下电荷耦合器件的失效阈值为4.22×10－3 J/cm2。这比ns激光作用下电荷耦合器件的损伤阈值低2～3个量级。对该器件进行显微观测，在光敏元上没有发现损伤，但在器件的栅极上发现了明显的激光引起的损伤痕迹。
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| 关 键 词： | fs激光 电荷耦合器件(CCD) 失效阈值 |
| 文章编号： | 1001-4322(2005)04-0515-03 |
| 收稿时间： | 2004/10/20 |
| 修稿时间： | 2004年10月20 |
Research on femtosecond laser induced damage to CCD |
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| JIANG Ji-jun,LUO Fu,CHEN Jian-guo.Research on femtosecond laser induced damage to CCD[J].High Power Laser and Particle Beams,2005,17(4):515-517. |
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| Authors: | JIANG Ji-jun LUO Fu CHEN Jian-guo |
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| Institution: | 1. College of Electronic Information, Sichuan University, Chengdu 610064，China;2. Institute of Fluid Physics, CAEP，P．O．Box 919-113, Mianyang 621900，China |
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| Abstract: | The failure of charge coupled devices (CCD ) irradiated by 800nm fs laser with pulse duration of 60 fs was studied.The result shows that the failure threshold of CCD irradiated by fs laser is 4.22×10-3 J/cm2. and it is 2～3 order lower than the failare threshold of CCD irradiated by ns laser. According to the micro-analysis of CCD, it is found that the damage does not take place at the light activated elements but at the grid electrode of the device. |
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| Keywords: | Femtosecond laser Charge coupled devices (CCD ) Failure threshold |
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