| 高纯锗中浅受主的光热电离光谱 |
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| 引用本文： | 余晨辉,张 波,余丽波,李亚军,陆 卫,沈学础.高纯锗中浅受主的光热电离光谱[J].中国物理 B,2008,17(2):1097-1101. |
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| 作者姓名： | 余晨辉 张 波 余丽波 李亚军 陆 卫 沈学础 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083；西南技术物理研究所，光电器件部，成都 610041;中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083;西南技术物理研究所，光电器件部，成都 610041;中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 10474107)和上海市基础研究重大项目(批准号：06dj14008)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.
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| 关 键 词： | 高纯锗 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 |
Photo-thermal ionization spectroscopy of shallow acceptors in high purity germanium |
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| Yu Chen-Hui,Zhang Bo,Yu Li-Bo,Li Ya-Jun,Lu Wei and Shen Xue-Chu.Photo-thermal ionization spectroscopy of shallow acceptors in high purity germanium[J].Chinese Physics B,2008,17(2):1097-1101. |
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| Authors: | Yu Chen-Hui Zhang Bo Yu Li-Bo Li Ya-Jun Lu Wei and Shen Xue-Chu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high purity germanium photo-thermal ionization spectroscopy impurity and defect levels in elemental semiconductors |
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