| GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能 |
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| 引用本文： | 郑文礼,李志文,李树深,王雪峰.GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能[J].大学物理,2008,27(6). |
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| 作者姓名： | 郑文礼 李志文 李树深 王雪峰 |
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| 作者单位： | 承德民族师范高等专科学校物理系,河北承德,067000;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;承德民族师范高等专科学校物理系,河北承德,067000;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的.
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| 关 键 词： | 有效质量 束缚能 微扰法 量子点 |
Binding energy of hydrogen-like impurity in InAs/GaAs quantum dot |
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| ZHENG Wen-li,LI Zhi-wen,LI Shu-shen,WANG Xue-feng.Binding energy of hydrogen-like impurity in InAs/GaAs quantum dot[J].College Physics,2008,27(6). |
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| Authors: | ZHENG Wen-li LI Zhi-wen LI Shu-shen WANG Xue-feng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | effective mass binding energies perturbation quantum dot |
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