光电子技术与器件

光探测与器件 TL816．5∥TN366 2004021294 电子轰击型PSD器件的研究与应用=Study and application of a electron bombing PSD device刊,中]／富丽晨(长春理工大学光电子技术研究所．吉林,长春(130022)),李野…∥红外技术．—2003,25(2)．—51-53,59 介绍了新型半导体光电位敏器件(PSD)的独特优点,同时根据极微弱光探测的应用需求,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD,研究了它的制作原理,并对已制出的器件进行了半导体增益测试。其结果表明,入射电子能量2 keV时增益大于10~2；5keV时增益可达10~3,证实了这种器件的优越性。还将(EBPSD)器件和微通道板相结合,充分利用微通道板的高增益特性,提出了电子增益高达10~8的MCP-PSD管设计方案,并制出了样管,指出这种器件可用于低于10~(-7)lx极微弱光图像的光子计数探测。图3参4(严寒)