高压下β-BaCu2S2电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文采用密度泛函理论方法对β-BaCu2S2的电子性质和光学性质进行了理论计算和分析。优化后的晶格常数与实验值符合良好。通过能带分析表明该晶体是一种直接带隙半导体，得出的带隙值为0.562 eV，与其他理论计算方法得出的结果接近。对介电函数的计算表明β-BaCu2S2是一种各向异性材料，随着压强的增大，介电函数虚部向高能区域移动，且峰值变高。计算所得静折射率的平方近似于静介电常数，与理论公式符合良好。随着压强的增加，晶体的光学常数如吸收系数、反射率、折射率和能量损失函数曲线均向光子能量增大的方向移动。研究表明加压是改变β-BaCu2S2晶体电子结构、调制光学性质的有效手段。