| Hf、N以不同比例掺杂ZnO的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 张文蕾,张航,彭彩云,马兰,容婧婧,张丽丽.Hf、N以不同比例掺杂ZnO的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2017,34(2):362-370. |
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| 作者姓名： | 张文蕾 张航 彭彩云 马兰 容婧婧 张丽丽 |
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| 作者单位： | 伊犁师范学院物理学院凝聚态相变与微结构实验室,伊犁师范学院物理学院凝聚态相变与微结构实验室,伊犁师范学院物理学院凝聚态相变与微结构实验室,伊犁师范学院物理学院凝聚态相变与微结构实验室,伊犁师范学院物理学院凝聚态相变与微结构实验室,伊犁师范学院物理学院凝聚态相变与微结构实验室 |
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| 基金项目： | 高分子非晶液-固转变的基本问题子课题(国家重点基础研究发展计划子课题2012CB821503)，新疆维吾尔自治区自然科学基金青年基金项目（2015211C301），新疆凝聚态物理重点学科专项经费开放课题(批准号:2012ZDXK31)，伊犁师范学院校级科研项目(2016)，伊犁师范学院2015年度研究生科研创新项目(2015YSY024). |
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| 摘 要： | 基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了Hf、N以不同掺杂比例掺杂ZnO(Zn_(16)O_(16))形成Zn_(15)O_(16-x_HfN_x(x=1,2,3,4)体系的结构参数、电子结构、Mulliken电荷布居和光学方面的性质.计算结果表明,掺杂体系晶胞体积不同程度增大;x=1时体系的费米能级上移进入导带使其呈现n型半导体特征,吸收峰和反射峰红移较小,尤其是反射峰,主要表现为强度的变化;但x=2,3,4体系的费米能级均在价带顶附近,且随掺杂比例的增大,掺杂体系的费米能级进入价带的深度逐渐增大,N 2p态的贡献作用也越来越显著,使掺杂体系呈现p型半导体特征,吸收峰和反射峰均有较大的红移,这将有利于ZnO体系在可见光领域的应用.
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| 关 键 词： | 第一性原理 ZnO Hf、N掺杂 结构参数 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2016/5/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 6/8/2016 12:00:00 AM |
First-principles Study on (Hf,N) -codoped ZnO With Different Proportions |
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| Zhang Wen-Lei,Zhang Hang,Peng Cai-Yun,Ma Lan,Rong Jing-Jing and Zhang Li-Li.First-principles Study on (Hf,N) -codoped ZnO With Different Proportions[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2017,34(2):362-370. |
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| Authors: | Zhang Wen-Lei Zhang Hang Peng Cai-Yun Ma Lan Rong Jing-Jing and Zhang Li-Li |
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