LSMO／TO薄膜p-n结微观结构对整流特性影响的研究

钙钛矿结构氧化物（ABO3）包含一系列重要性质，如介电、铁电、压电、热电、光电、超导、巨磁电阻及光学非线性等特性和效应。Jin等人观察到掺杂锰氧化物的电阻率在磁场作用下可下降几个数量级，即庞磁电阻效应（CMR），而掺杂锰氧化物也因此成为科技界的研究热点，有望在磁记录、磁探测、磁传感器等方面得到重要应用。为了开发掺杂锰氧化物材料的应用价值和探索CMR的物理机理，各国学者用掺杂锰氧化物制备了多种p-n结。Yan在研究LaSrMnO3／ZnO薄膜p-n结时发现不同生长顺序使得p-n结I-V曲线不再具有整流特性而显示出线性特征。我们采用磁控溅射方法在硅衬底上分别制备了La0.8Sr0.2MnO3／TiOx／Si和TiOx／La0.8Sr0.2MnO3／Si多层膜，进行测量得到了类似结果。利用TEM对薄膜微观结构进行研究，分析了界面结构对p-n结电学行为的可能影响。