| V波段3 W GaN功率放大器MMIC |
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| 引用本文： | 刘如青,刘帅,高学邦,付兴中.V波段3 W GaN功率放大器MMIC[J].半导体技术,2021,46(8):599-603,634. |
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| 作者姓名： | 刘如青 刘帅 高学邦 付兴中 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 以50 μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC).该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出.经测试,在55～65 GHz频带内,漏极工作电压+20V、栅极工作电压-2.3 V的偏置条件下,在占空比20％、脉宽100 μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22％;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W.
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| 关 键 词： | V波段 氮化镓 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 连续波 |
V-Band 3 W GaN Power Amplifier MMIC |
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| Liu Ruqing,Liu Shuai,Gao Xuebang,Fu Xingzhong.V-Band 3 W GaN Power Amplifier MMIC[J].Semiconductor Technology,2021,46(8):599-603,634. |
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| Authors: | Liu Ruqing Liu Shuai Gao Xuebang Fu Xingzhong |
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