| 一种抑制选通器耐受性退化的两步写入方法 |
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| 引用本文： | 李雨佳,唐建石,高滨,许峰,李辛毅,张万荣,吴华强,钱鹤.一种抑制选通器耐受性退化的两步写入方法[J].半导体技术,2021,46(6):434-439. |
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| 作者姓名： | 李雨佳 唐建石 高滨 许峰 李辛毅 张万荣 吴华强 钱鹤 |
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| 作者单位： | 北京工业大学信息学部,北京 100124;清华大学北京信息科学与技术国家研究中心微电子研究所,北京 100084;清华大学北京信息科学与技术国家研究中心微电子研究所,北京 100084;清华大学北京未来芯片高精尖中心,北京 100084;清华大学北京信息科学与技术国家研究中心微电子研究所,北京 100084;北京工业大学信息学部,北京 100124 |
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| 摘 要： | 为了抑制选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列在写操作过程中存在的选通器耐受性退化,对施加不同脉冲幅值和宽度的写入电压时HfO2/Ag纳米点阈值开关选通器件的耐受性退化情况进行了测试和分子动力学模拟.结果 表明,随着写入电压幅值和脉冲宽度的增加,选通器耐受性下降.基于此结果,提出一种将选通器开启过程和阻变存储器写过程分开操作的1S1R阵列两步写入方法来降低写过程中选通器上的分压,抑制选通器耐受性的退化.仿真和测试结果表明,相较于一步写操作方法,采用两步写入方法后,选通器件耐受性提高了一个数量级.此外,采用两步写入方法后,阵列能耗可降低58％以上,有利于大规模阵列的应用.
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| 关 键 词： | 选通器 耐受性退化 选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列 写入方法 能耗 |
Two-Step Write Scheme to Mitigate Endurance Degradation of the Selector |
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| Li Yujia,Tang Jianshi,Gao Bin,Xu Feng,Li Xinyi,Zhang Wanrong,Wu Huaqiang,Qian He.Two-Step Write Scheme to Mitigate Endurance Degradation of the Selector[J].Semiconductor Technology,2021,46(6):434-439. |
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| Authors: | Li Yujia Tang Jianshi Gao Bin Xu Feng Li Xinyi Zhang Wanrong Wu Huaqiang Qian He |
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