| 定向凝固法生长多晶硅中位错密度降低的研究进展 |
| |
| 引用本文： | 韩博,李进,安百俊,石星宇,徐尊豪.定向凝固法生长多晶硅中位错密度降低的研究进展[J].半导体技术,2021,46(12):946-955. |
| |
| 作者姓名： | 韩博 李进 安百俊 石星宇 徐尊豪 |
| |
| 作者单位： | 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室,银川 750021 |
| |
| 摘 要： | 位错可以通过缩短少数载流子寿命而严重限制多晶硅太阳电池的转换效率,随着对高转换效率的追求,研究多晶硅位错的重要性也随之增加.在介绍现有半导体晶体CRSS和HAS位错模型的基础上,归纳了定向凝固法生长多晶硅中应力、晶界、杂质、过冷度对位错形成的影响机制与缺陷腐蚀和原位检测等多种位错表征方法.重点阐述了控制固液界面形貌、籽晶、掺杂、硅锭制备工艺、硅片退火等技术对减少与抑制多晶硅位错的影响.最后,针对位错模型、位错表征以及多晶硅生长过程中位错的抑制和生长后位错密度降低技术进行了展望.
|
| 关 键 词： | 定向凝固法 多晶硅 位错 制备工艺 硅片退火 |
Research Progress of Dislocation Density Reduction in Multicrystalline Silicon Grown by Directional Solidification Method |
| |
| Han Bo,Li Jin,An Baijun,Shi Xingyu,Xu Zunhao.Research Progress of Dislocation Density Reduction in Multicrystalline Silicon Grown by Directional Solidification Method[J].Semiconductor Technology,2021,46(12):946-955. |
| |
| Authors: | Han Bo Li Jin An Baijun Shi Xingyu Xu Zunhao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
