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| 64K位NMOS动态RAM | |
| 引用本文： | 伊藤清男 ,蔡永才.64K位NMOS动态RAM[J].微电子学,1983(2). |
| 作者姓名： | 伊藤清男 蔡永才 |
| 摘 要： | MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术的牵引车是动态NMOS存储器。动态存储器产品研究重心已开始从16K转向64K。用户强烈希望64K能在IBM公司的新系列中得到应用。但长期以来,半导体厂家并没有满足用户们的这一愿望。其主要原因除了需要微细加工技术的制造工艺和软误差等问题外,还需要考虑所谓的电源电压问题。开始的 |
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