| α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 谢长坤,徐彭寿,徐法强,潘海斌.α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算[J].物理学报,2002,51(12):2804-2811. |
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| 作者姓名： | 谢长坤 徐彭寿 徐法强 潘海斌 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :5 0 13 2 0 40 );;中国科学技术大学“高水平大学建设”研究基地资助的课题 |
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| 摘 要： | 用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了αSiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的αSiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算αSiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变
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| 关 键 词： | 碳化硅 FPLAPW方法 电子结构 |
Ｆｉｒｓｔ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｓｔｕｄｙｏｎα ＳｉＣ (1 0 1 0 )ｓｕｒｆａｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ |
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| Xie Chang-Kun,Xu Peng-Shou,Xu Fa-Qiang and Pan Hai-Bin.Ｆｉｒｓｔ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｓｔｕｄｙｏｎα ＳｉＣ (1 0 1 0 )ｓｕｒｆａｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ[J].Acta Physica Sinica,2002,51(12):2804-2811. |
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| Authors: | Xie Chang-Kun Xu Peng-Shou Xu Fa-Qiang and Pan Hai-Bin |
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| Abstract: | Ｗｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｎｔｈｅａｔｏｍｉｃａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆα ＳｉＣａｎｄｉｔｓｎｏｎ ｐｏｌａｒ(1 0 1 0 )ｓｕｒｆａｃｅｕｓｉｎｇｔｈｅｆｕｌｌ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｌｉｎｅａｒ ａｕｇｍｅｎｔｅｄ ｐｌａｎｅ ｗａｖｅ (ＦＰＬＡＰＷ)ａｐｐｒｏａｃｈ.Ｔｈｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｌａｔｔｉｃｅｃｏｎｓｔａｎｔｓａｎｄｂｕｌｋｍｏｄｕｌｕｓｏｆα ＳｉＣｃｒｙｓｔａｌａｒｅｉｎｅｘｃｅｌｌｅｎｔａｇｒｅｅｍｅｎｔｗｉｔｈｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｄａｔａ .Ｔｈｅａｔｏｍｉｃａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆα ＳｉＣ (1 0 1 0 )ｓｕｒｆａｃｅｈａｖｅｂｅｅｎｃａｌｃｕｌａｔｅｄｂｙｅｍｐｌｏｙｉｎｇｓｌａｂａｎｄｓｕｐｅｒｃｅｌｌｍｏｄｅｌｓ.Ｉｔｉｓｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｉｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｂｙａｔｏｐ ｌａｙｅｒｂｏｎｄ ｌｅｎｇｔｈ ｃｏｎｔｒａｃｔｉｎｇｒｏｔａｔｉｏｎｒｅｌａｘａｔｉｏｎｉｎｗｈｉｃｈｂｏｔｈＳｉａｎｄＣａｔｏｍｓｈａｖｅｔｈｅｔｅｎｄｅｎｃｙｔｏｍｏｖｅｄｏｗｎｔｏｗａｒｄｔｈｅｂｕｌｋｔｏｆｏｒｍｐｌａｎａｒｃｏｎｆｉｇｕ ｒａｔｉｏｎｗｉｔｈｔｈｅｉｒｎｅｉｇｈｂｏｕｒｓａｎｄＳｉｍｏｖｅｓｆｕｒｔｈｅｒｔｏｗａｒｄｔｈｅｂｕｌｋｔｈａｎＣｄｏｅｓ.Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ ,ｓｕｒｆａｃｅｒｅｌａｘａｔｉｏｎｉｎｄｕｃｅｓｔｈｅｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｆｒｏｍｓｅｍｉ ｍｅｔａｌｌｉｃｔｏｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏn |
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| Keywords: | SiC FPLAPW method electronic structure |
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