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Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制
引用本文:
郑著宏,张吉英.Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制[J].光电子.激光,1996,7(4):199-201,209.
作者姓名:
郑著宏
张吉英
摘 要:
利用MOCVD技术和光电子器件工艺成功制备了P-i-n结构的P-ZnSe-(Zn0.65Cd0.35Se-ZnSeMQW)-n-ZnSe自电光效应器件。在这种自由光效应器中,在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。
关 键 词:
量子阱
自电光效应器件
光电子器件
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